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4F Square 架构全球首产：消息称三星突破 10 纳米 DRAM 瓶颈_蜘蛛资讯网

高密度单元的基础。图源：三星10a 工艺被视为 DRAM 进入 10nm 以下节点的首代技术，其实际电路线宽约为 9.5 至 9.7nm。相比当前主流的 6F Square 设计，4F Square 结构将每个单元置于 2F×2F 的面积内，能在相同芯片面积下将单元密度提升约 30% 至 50%。新技术面临的主要挑战是材料变革。通道材料为降低漏电流并提升数据保持能力，已从硅转变为铟镓锌氧化物（IG

此外，三星原计划用钼（Mo）替代氮化钛（TiN）作为字线材料（指用于制作存储器中字线的导电材料），但因钼具有腐蚀性且固态处理困难，需对气体输送系统进行改造，目前该材料仍在评估中。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，所有文章均包含本声明。

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发布时间：02:35:44